メモリカードインタフェース あり（SDメモリカード）

汚染度 2以下

プログラム言語 シーケンス制御言語 リレーシンボル語, ロジックシンボリック語, MELSAP3(SFC), MELSAP-L, ファンクションブロック, ストラクチャードテキスト(ST)

保存周囲湿度 5〜95％RH，結露なきこと

使用周囲湿度 5〜95％RH，結露なきこと

保存周囲温度 -25〜75℃

耐衝撃 JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合（147m/s2，XYZ3方向各3回）

許容瞬停時間 電源ユニットによる

ラッチ（停電保持）範囲 L0〜8191（デフォルト8192点）[B, F, V, T, ST, C, D, Wについてラッチ範囲設定可能]

設置場所 制御盤内

オーバボルテージカテゴリ II 以下

入出力制御方式 リフレッシュ方式(ダイレクトアクセス入出力(DX,DY)の指定によりダイレクトアクセス入出力可)

使用標高 0〜2000m

Q03UDVCPU

インテリジェント機能ユニットデバイス インテリジェント機能ユニットのバッファメモリを直接アクセスするデバイス　指定形式：U￥G

耐振動JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合 ・断続的な振動がある場合 nbsp;nbsp;周波数：5〜8.4Hz，片振幅：3.5mm、周波数：8.4〜150Hz，定加速度：9.8m/s2掃引回数：X,Y,Z各方向10回・連続的な振動がある場合 nbsp;nbsp;周波数：5〜8.4Hz，片振幅：1.75mm、周波数：8.4〜150Hz，定加速度：4.9m/s2

メモリ容量 プログラムメモリ（ドライブ0） 120Kバイトメモリカード(SD)（ドライブ2） 装着SDメモリカード(SD/SDHC) 容量分（最大32Gバイト）標準RAM（ドライブ3） nbsp;nbsp;拡張SRAMカセット未使用時192Kバイトnbsp;nbsp;拡張SRAMカセット使用時nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;拡張SRAMカセット未使用時の容量＋拡張SRAMカセットの容量nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（拡張SRAMカセットは最大8Mバイト）標準ROM（ドライブ4） 1025.5KバイトCPU共有メモリ nbsp;nbsp;・QCPU標準エリア 8Kバイトnbsp;nbsp;・マルチCPU間高速通信エリア 32Kバイト

コンスタントスキャン 0.5〜2000ms(0.5ms単位で設定可)

最大格納ファイル本数 プログラムメモリ 124本メモリカード(SD) SD ルートフォルダ：最大512本 サブディレクトリ：最大65534本メモリカード(SDHC) ルートフォルダ：最大65535本 サブディレクトリ：最大65534本標準RAM 323本標準ROM 256本

RUN/PAUSE接点 X0〜1FFFよりRUN/PAUSE接点各1点設定可

質量 0.20kg

外形寸法 H 98mm W 27.4mm D 89.3mm

DC5V内部消費電流 0.58A（CPUユニット単体）／0.6A（拡張SRAMカセット装着時）

リンクダイレクトデバイス ネットワークユニットのリンクデバイスを直接アクセスするデバイス指定形式:J￥X, J￥Y, J￥SB, J￥W, J￥SW

装置クラス Class 1

処理速度 シーケンス命令 LD X0 1.9nsMOV D0 D1 3.9ns

性能仕様 制御方式 ストアードプログラム繰返し演算

周辺機器接続ポート USB, Ethernet

使用雰囲気 腐食性ガスのないこと

プログラム容量 30Kステップ(120Kバイト)

一般仕様 使用周囲温度 0〜55℃