耐振動JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合 ・断続的な振動がある場合 nbsp;nbsp;周波数：5〜8.4Hz，片振幅：3.5mm、周波数：8.4〜150Hz，定加速度：9.8m/s2掃引回数：X,Y,Z各方向10回・連続的な振動がある場合 nbsp;nbsp;周波数：5〜8.4Hz，片振幅：1.75mm、周波数：8.4〜150Hz，定加速度：4.9m/s2

設置場所 制御盤内

外形寸法 H 98mm W 27.4mm D 89.3mm

許容瞬停時間 電源ユニットによる

使用周囲湿度 5〜95％RH，結露なきこと

保存周囲温度 -25〜75℃

一般仕様 使用周囲温度 0〜55℃

最大格納ファイル本数 プログラムメモリ 124本メモリカード(SD) SD ルートフォルダ：最大512本 サブディレクトリ：最大65534本メモリカード(SDHC) ルートフォルダ：最大65535本 サブディレクトリ：最大65534本標準RAM 323本標準ROM 256本

インテリジェント機能ユニットデバイス インテリジェント機能ユニットのバッファメモリを直接アクセスするデバイス　指定形式：U￥G

周辺機器接続ポート USB, Ethernet

性能仕様 制御方式 ストアードプログラム繰返し演算

装置クラス Class 1

RUN/PAUSE接点 X0〜1FFFよりRUN/PAUSE接点各1点設定可

ラッチ（停電保持）範囲 L0〜8191（デフォルト8192点）[B, F, V, T, ST, C, D, Wについてラッチ範囲設定可能]

使用雰囲気 腐食性ガスのないこと

入出力制御方式 リフレッシュ方式(ダイレクトアクセス入出力(DX,DY)の指定によりダイレクトアクセス入出力可)

保存周囲湿度 5〜95％RH，結露なきこと

プログラム言語 シーケンス制御言語 リレーシンボル語, ロジックシンボリック語, MELSAP3(SFC), MELSAP-L, ファンクションブロック, ストラクチャードテキスト(ST)

プログラム容量 30Kステップ(120Kバイト)

コンスタントスキャン 0.5〜2000ms(0.5ms単位で設定可)

メモリカードインタフェース あり（SDメモリカード）

オーバボルテージカテゴリ II 以下

Q03UDVCPU

メモリ容量 プログラムメモリ（ドライブ0） 120Kバイトメモリカード(SD)（ドライブ2） 装着SDメモリカード(SD/SDHC) 容量分（最大32Gバイト）標準RAM（ドライブ3） nbsp;nbsp;拡張SRAMカセット未使用時192Kバイトnbsp;nbsp;拡張SRAMカセット使用時nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;拡張SRAMカセット未使用時の容量＋拡張SRAMカセットの容量nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;（拡張SRAMカセットは最大8Mバイト）標準ROM（ドライブ4） 1025.5KバイトCPU共有メモリ nbsp;nbsp;・QCPU標準エリア 8Kバイトnbsp;nbsp;・マルチCPU間高速通信エリア 32Kバイト

リンクダイレクトデバイス ネットワークユニットのリンクデバイスを直接アクセスするデバイス指定形式:J￥X, J￥Y, J￥SB, J￥W, J￥SW

耐衝撃 JIS B 3502, IEC 61131-2 に適合（147m/s2，XYZ3方向各3回）

DC5V内部消費電流 0.58A（CPUユニット単体）／0.6A（拡張SRAMカセット装着時）

使用標高 0〜2000m

汚染度 2以下

処理速度 シーケンス命令 LD X0 1.9nsMOV D0 D1 3.9ns

質量 0.20kg